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J-GLOBAL ID：202102230380551977   Reference number：21A0176054

Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy

深準位過渡分光法を用いた炉アニーリングまたはレーザアニーリングにより活性化されたアノードを有するシリコンダイオードの漏れ電流解析【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Wakimoto Hiroki (Fuji Electric Co., Ltd., 4-18-1, Tsukama, Matsumoto, Nagano 390-0821, Japan) ,  Matsumoto Takashi (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Yano Koji (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Muranaka Tsutomu (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 10  Issue： 12  Page： 125301-125301-9  Publication year： 2020 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Silicon P-i-N diodes with a p<...

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Thesaurus term： energy level ,  high temperature ,  *annealing(heat treatment) ,  *diode ,  low temperature ,  *electric current ,  *silicon ,  boron ,  *leakage current ,  blocking effect ,  *laser annealing ,  *deep level transient spectroscopy ,  *anode
Semi thesaurus term： 逆バイアス ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (8)： 深準位過渡分光法 ,  炉 ,  アニーリング ,  レーザアニーリング ,  活性化 ,  アノード ,  漏れ電流 ,  解析