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J-GLOBAL ID：202102247962999250   Reference number：21A0176029

Iron loss evaluation of magnetic materials excited by a SiC inverter with a Schottky barrier diode wall-integrated trench MOSFET

Schottky障壁ダイオード壁集積トレンチMOSFETを有するSiCインバータにより励起された磁性材料の鉄損評価【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Yao Atsushi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Kato Fumiki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Hozoji Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Harada Shinsuke (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Yamaguchi Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Sato Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 10  Issue： 12  Page： 125129-125129-5  Publication year： 2020 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This study examines the impact...

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Thesaurus term： magnetic hysteresis ,  *diode ,  *excitation (physics) ,  magnetic property ,  motor ,  *magnetic material ,  *MOSFET ,  *Schottky barrier diode ,  *silicon carbide ,  magnetic core ,  *iron loss ,  switching loss ,  minor loop ,  silicon steel plate
Semi thesaurus term： トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Power converters  (NB08030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： Schottky障壁ダイオード ,  集積 ,  トレンチ ,  MOSFET ,  SiC ,  インバータ ,  励起 ,  磁性材料 ,  鉄損 ,  評価