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J-GLOBAL ID：202102276521025710   Reference number：21A1812210

Improving the specific on-resistance and short-circuit ruggedness tradeoff of 1.2-kV-class SBD-embedded SiC MOSFETs through cell pitch reduction and internal resistance optimization

セルピッチ低減と内部抵抗最適化による1.2kV級SBD埋め込みSiC MOSFETの比オン抵抗と短絡抵抗トレードオフの改善【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Kono Hiroshi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Asaba Shunsuke (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Ohashi Teruyuki (Toshiba Corporation,Corporate Research & Development Center,Kawasaki,Japan) ,  Ogata Takahiro (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Furukawa Masaru (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Sano Kenya (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Yamaguchi Masakazu (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan) ,  Suzuki Hisashi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2021  Issue： ISPSD  Page： 227-230  Publication year： 2021 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The impact of cell size and JF...

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Thesaurus term： energy loss ,  *optimization ,  switching ,  semiconductor ,  FET ,  *MOSFET ,  Schottky barrier diode ,  *silicon carbide ,  junction FET ,  photoelectron ,  voltage drop ,  *on resistance
Semi thesaurus term： *内部抵抗 ,  デバイス特性 ,  *SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (11)： セル ,  ピッチ ,  内部抵抗 ,  最適化 ,  SBD ,  埋め込み ,  SiC ,  MOSFET ,  オン抵抗 ,  短絡 ,  トレードオフ