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J-GLOBAL ID：202103000710664111

低欠陥化炭素材料の製造方法

Inventor： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  皆上 昂ノ介 ,  小野 博信
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
Agent (1)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019169768
Publication number (International publication number)：2021006497
Application date： Sep. 18, 2019
Publication date： Jan. 21, 2021
Summary：

【課題】欠陥が非常に少ないグラフェン系炭素材料を得る方法を提供することを目的とする。【解決手段】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化炭素材料の製造方法である。また、ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする炭素材料の改質方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化炭素材料の製造方法。

IPC (3)：

C01B 32/00 ,  G01N 21/65 ,  C01B 32/21

FI (3)：

C01B32/00 ,  G01N21/65 ,  C01B32/21

F-Term (25)：

2G043AA03 ,  2G043EA03 ,  2G043KA01 ,  2G043NA01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC22A ,  4G146AD19 ,  4G146AD23 ,  4G146AD35 ,  4G146BA02 ,  4G146BB04 ,  4G146BB12 ,  4G146BC32B ,  4G146CA11 ,  4G146CB01 ,  4G146CB09 ,  4G146CB10 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-128506   Applicant：三星コーニング株式会社
• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-023070   Applicant：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• NATURE CHEMISTRY, 2005, Vol.7, p.730-736