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J-GLOBAL ID：202103001576357041

グラフェン及び化学修飾グラフェンの製造方法

Inventor： 真下 茂 ,  速水 真也 ,  竹平 裕
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  京石産業株式会社
Agent (7)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  松山 美奈子 ,  山本 修 ,  松山 美奈子
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016119006
Publication number (International publication number)：2017222538
Patent number：6833243
Application date： Jun. 15, 2016
Publication date： Dec. 21, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】グラフェンの製造方法であって、 水中に一対の炭素電極を浸漬させ、 当該一対の炭素電極に、10V以上500V以下の電圧、1μs以上50μs以下の立ち上がり時間、10μs以上200μs以下のパルス幅の条件でパルス状に電圧を周期的に印加して、火花放電を繰り返し発生させ、 当該一対の炭素電極からグラフェンを形成することを特徴とする方法。

IPC (4)：

C01B 32/19 ( 201 7.01) ,  H05H 1/24 ( 200 6.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01)

FI (4)：

C01B 32/19 ,  H05H 1/24 ZNM ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• グラフェン分散液及びグラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-112425   Applicant：国立大学法人熊本大学
• グラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-026102   Applicant：国立大学法人名古屋大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Graphene bi- and trilayers produced by a novel aqueous arc discharge process