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J-GLOBAL ID：202103003316103430

ダイヤモンド基板

Inventor： 野口 仁 ,  白井 省三 ,  牧野 俊晴 ,  小倉 政彦 ,  加藤 宙光 ,  川島 宏幸 ,  桑原 大輔 ,  山崎 聡 ,  竹内 大輔 ,  徳田 規夫 ,  猪熊 孝夫 ,  松本 翼
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人金沢大学
Agent (2)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021162838
Publication number (International publication number)：2021193067
Application date： Oct. 01, 2021
Publication date： Dec. 23, 2021
Summary：

【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下地と該下地の表面上に形成されたダイヤモンド層からなるダイヤモンド基板であって、前記下地の裏面に開口部を有することを特徴とするダイヤモンド基板。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/18

FI (2)：

C30B29/04 Q ,  C30B25/18

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DA11 ,  4G077DB07 ,  4G077DB16 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077GA03 ,  4G077GA05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08