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J-GLOBAL ID：202103003736539853
光半導体素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
山本 修
, 宮前 徹
, 松尾 淳一
, 鳥居 健一
, 井上 和真
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2021055097
Patent number：6970845
Application date： Mar. 29, 2021
Summary：
【課題】選択エピタキシャル成長法の成膜プロセスに起因する多結晶粒の発生を抑制することを可能とする光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、単結晶層を最外層として含む半導体基板と、前記単結晶層上に形成された、互いに離間する主開口部及び少なくとも1つのダミー開口部を有する絶縁膜と、前記単結晶層上に前記主開口部内で選択的にエピタキシャル成長した主エピタキシャル膜と、前記単結晶層上に前記ダミー開口部内で選択的にエピタキシャル成長したダミーエピタキシャル膜とを備える。前記主エピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担う膜であり、前記ダミーエピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担わない膜である。前記主エピタキシャル膜と前記ダミーエピタキシャル膜との離間距離は4μm以上でかつ100μm以下の範囲内である。
【選択図】図1
Claim (excerpt)：
【請求項1】 光受動素子または光能動素子として機能する光半導体素子であって、
単結晶層を最外層として含む半導体基板と、
前記単結晶層上に形成された、互いに離間する主開口部及び少なくとも1つのダミー開口部を有する絶縁膜と、
前記単結晶層上に前記主開口部内で選択的にエピタキシャル成長した主エピタキシャル膜と、
前記単結晶層上に前記ダミー開口部内で選択的にエピタキシャル成長したダミーエピタキシャル膜と
を備え、
前記主エピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担う膜であり、
前記ダミーエピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担わない膜であり、
前記主エピタキシャル膜及び前記ダミーエピタキシャル膜の各々は、ゲルマニウム膜またはシリコンゲルマニウム膜を含み、
前記主エピタキシャル膜と前記ダミーエピタキシャル膜との離間距離は4μm以上でかつ20μm未満の範囲内である、
ことを特徴とする光半導体素子。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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