フォトディテクタおよびその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：柳田征史 , 佐久間剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007083431
Publication number (International publication number)：2008193037
Application date： Mar. 28, 2007
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

【課題】横型フォトダイオードの高速応答性を向上させる。【解決手段】半導体基板11の上方に、活性領域13,14と、互いに基板表面と平行な方向に並べて配置されたp型領域15およびn型領域16とを備えてなる横型構造のフォトディテクタ10において、前記活性領域13,14を、互いに基板厚さ方向に積層されてpn接合を構成するn層およびp層から形成するとともに、この活性領域の基板側に、基板側から活性領域側へのキャリア移動を阻止するバリア層12を設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に、活性領域と、互いに基板表面と平行な方向に並べて配置されたp型領域およびn型領域とを備えてなる横型構造のフォトディテクタにおいて、前記活性領域が、互いに基板厚さ方向に積層されてpn接合を構成するp層およびn層から形成され、この活性領域の基板側に、基板側から活性領域側へのキャリア移動を阻止するバリア層が形成されていることを特徴とするフォトディテクタ。

IPC (4)：

H01L 31/10 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/762

FI (3)：

H01L31/10 A , H01L27/12 B , H01L21/76 D

F-Term (13)：

5F032AA91 , 5F032CA15 , 5F032CA23 , 5F032DA33 , 5F032DA71 , 5F049MA02 , 5F049MA04 , 5F049MB02 , 5F049NA03 , 5F049PA10 , 5F049QA11 , 5F049SS03 , 5F049SS07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体素子作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-354996 Applicant：三洋電機株式会社
高速フォトダイオード、およびこれを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-413962 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
米国特許公開2004/0119093号公報

Cited by examiner (2)

半導体光センサ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-281609 Applicant：株式会社東芝
高速フォトダイオード、およびこれを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-413962 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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