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J-GLOBAL ID：202103004422284610

受光素子、撮像素子及び撮像装置

Inventor： 池原 譲 ,  小倉 睦郎 ,  池原 早苗 ,  宮本 健司 ,  岩崎 豊
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 特許業務法人平木国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019022169
Publication number (International publication number)：WO2019239962
Application date： Jun. 04, 2019
Publication date： Dec. 19, 2019
Summary：

この受光素子は、基板と、基板に配置されInGaAsを含む光吸収層とを備える。InGaAsにおけるAsの組成比が50at%の場合、InGaAsにおけるInとGaとの組成比(at%)は30.8:19.2である。

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板に配置され、InGaAsを含む光吸収層と を備え、 前記InGaAsにおけるAsの組成比が50at%の場合、前記InGaAsにおけるInとGaとの組成比(at%)は30.8:19.2である 受光素子。

IPC (5)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/026 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/369

FI (5)：

H01L31/10 A ,  H01L31/08 N ,  H01L27/146 A ,  H04N5/33 ,  H04N5/369

F-Term (28)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CB01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA08 ,  4M118GD14 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F849AA01 ,  5F849AB07 ,  5F849BA01 ,  5F849BA09 ,  5F849BB03 ,  5F849BB08 ,  5F849CB04 ,  5F849DA35 ,  5F849EA04 ,  5F849GA06 ,  5F849LA01 ,  5F849XB18 ,  5F849XB24 ,  5F849XB34