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J-GLOBAL ID：202103009316573825

光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法

Inventor： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  雲見 日出也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019023604
Publication number (International publication number)：WO2020008839
Application date： Jun. 14, 2019
Publication date： Jan. 09, 2020
Summary：

リーク電流が抑制され、低電圧で良好なフォトルミネセンス特性を有する光電子素子を提供する。光電子素子において、無機粒子を含む活性層と、少なくとも亜鉛(Zn)、珪素(Si)、及び酸素(O)を含む酸化物半導体導層とが積層されている。

Claim (excerpt)：

無機粒子を含む活性層と、 少なくとも亜鉛(Zn)と、珪素(Si)と、酸素(O)を含む酸化物半導体層と、 が積層された光電子素子。

IPC (9)：

H05B 33/14 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/46 ,  H01L 51/44 ,  H01L 51/42 ,  G09F 9/30

FI (10)：

H05B33/14 Z ,  H05B33/22 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L31/04 166 ,  H01L31/04 112Z ,  H01L31/08 T ,  G09F9/30 365

F-Term (37)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC12 ,  3K107DD27 ,  3K107DD29 ,  3K107DD44Y ,  3K107DD46Y ,  3K107DD54 ,  3K107DD57 ,  3K107DD74 ,  3K107DD85 ,  3K107FF14 ,  3K107GG06 ,  5C094AA22 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA05 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094JA01 ,  5F151AA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151GA03 ,  5F849AB11 ,  5F849BA05 ,  5F849DA33 ,  5F849FA02 ,  5F849FA03 ,  5F849FA04 ,  5F849GA02 ,  5F849XA02 ,  5F849XA17 ,  5F849XA54