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J-GLOBAL ID：202103012558489552

不揮発性メモリ素子およびその製造方法

Inventor： 須藤 祐司 ,  イ シュアン ,  畑山 祥吾
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (6)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  南山 知広 ,  河合 章 ,  河野 努 ,  萩原 良一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019133861
Publication number (International publication number)：2021019090
Application date： Jul. 19, 2019
Publication date： Feb. 15, 2021
Summary：

【課題】熱的に安定であり、電気抵抗スイッチングの際に融解を必要とせず、かつ、フォーミングプロセスや制限電流の設定を必要としない不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ素子は、NaCl型の結晶構造を有するCr窒化膜で構成され、電気パルスの印加により電気抵抗が互いに異なる複数の状態に変化し得るメモリ層(4)と、メモリ層に通電するための第1および第2の電極(2,5)とを備える。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

NaCl型の結晶構造を有するCr窒化膜で構成され、電気パルスの印加により電気抵抗が互いに異なる複数の状態に変化し得るメモリ層と、 前記メモリ層に通電するための第1および第2の電極と、 を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (4)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/105 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (12)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-115091   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-115091   Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• "NaCl型窒化物の表面エネルギーに関する第一原理計算"
• "窒化クロム薄膜の配位原子置換による電子状態変化と結晶構造転移"

Cited by examiner (4)

• "NaCl型窒化物の表面エネルギーに関する第一原理計算"
• "NaCl型窒化物の表面エネルギーに関する第一原理計算"
• "窒化クロム薄膜の配位原子置換による電子状態変化と結晶構造転移"
• "窒化クロム薄膜の配位原子置換による電子状態変化と結晶構造転移"