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J-GLOBAL ID：202103014640078385
細胞培養基材、細胞含有物の作製方法、細胞培養基材の作製方法、細胞観察方法、細胞培養基材のメンテナンス液
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (2)：
正林 真之
, 林 一好
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016101029
Publication number (International publication number)：2017205082
Patent number：6838869
Application date： May. 20, 2016
Publication date： Nov. 24, 2017
Claim (excerpt)：
【請求項1】 SiO2を含む無機材料で構成された基板を備える細胞培養基材であって、
前記細胞培養基材は、培養面に複数の凹凸構造を有し、
原子間力顕微鏡を用いて、1μm四方の測定領域で、ローパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を1nm、ハイパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を170nmとして、前記凹凸構造を測定したときに、
前記凹凸構造の、少なくとも1つの方向についての、JISB0601(2013)及びJISR1683(2014)に準拠して求められる、前記凹凸構造を構成する山の始点から、前記山に隣り合う谷の終点までの長さの平均である、輪郭曲線要素の長さの平均が1〜170nmであり、前記凹凸構造の輪郭曲線における平均線は、前記ハイパス用輪郭曲線フィルタにより遮断される長波長成分を表す曲線を最小二乗法により直線に補正したとき、その直線と平行かつ、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布50%を示す線であり、
前記輪郭曲線のウォーターシェッド法高さが1〜6nmであり、前記ウォーターシェッド法高さは、前記輪郭曲線における高さの累積相対度数分布100%を示す上端線と高さの累積相対度数分布0%を示す下端線とを反転させて水平補正した状態で、ウォーターシェッドアルゴリズムを用いて得られる反転後の谷の最下点と、前記下端線との距離の平均であり、
X方向についての前記凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W1と、前記X方向と直交するY方向についての前記凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W2とのアスペクト比の平均が1.95以下であり、前記アスペクト比の平均は、前記平均長さW1、W2のうち、大きい方の値を小さい方の値で除した値の平均である、細胞培養基材。
IPC (3)：
C12M 3/00 ( 200 6.01)
, C12N 1/00 ( 200 6.01)
, C12N 5/07 ( 201 0.01)
C12M 3/00 A
, C12N 1/00 A
, C12N 5/07
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