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J-GLOBAL ID:202103015346168364

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人秀和特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020073582
Publication number (International publication number):2021170605
Application date: Apr. 16, 2020
Publication date: Oct. 28, 2021
Summary:
【課題】より高い電圧を産する光電変換素子を提供する。【解決手段】上部電極105と下部電極101とにより構成される一対の電極と、一対の電極間に位置する活性層103と、を有する光電変換素子100であって、活性層103と、一対の電極の少なくとも一方の電極と、の間に電子輸送層102を備え、電子輸送層102がSnO2を含み、且つ電子輸送層102の表面のX線光電子分光分析(XPS)においてSn2+成分が検出されない、光電変換素子100により課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
上部電極と下部電極とにより構成される一対の電極と、前記一対の電極間に位置する活性層と、を有する光電変換素子であって、 前記活性層と、前記一対の電極の少なくとも一方の電極との間に電子輸送層を備え、前記電子輸送層がSnO2を含み、且つ前記電子輸送層の表面のX線光電子分光分析(XPS)においてSn2+成分が検出されない、光電変換素子。
IPC (3):
H01L 51/44 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/46
FI (3):
H01L31/04 112Z ,  H01L31/08 T ,  H01L31/04 166
F-Term (15):
5F151AA20 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB27 ,  5F151DA20 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F849AA20 ,  5F849AB11 ,  5F849FA04 ,  5F849FA05 ,  5F849XA01 ,  5F849XA37 ,  5F849XA54
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
  • Low-Temperature Plasma-Assisted Atomic-Layer-Deposited SnO2 as an Electron Transport Layer in Planar
  • Achievable high VOC of carbon based all-inorganic CsPbIBr2 perovskite solar cells through interface
  • Improved Efficiency of Perovskite Solar Cells Using a Nitrogen-Doped Graphene-Oxide-Treated Tin Oxid
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Cited by examiner (19)
  • Improved Efficiency of Perovskite Solar Cells Using a Nitrogen-Doped Graphene-Oxide-Treated Tin Oxid
  • Low-Temperature Plasma-Assisted Atomic-Layer-Deposited SnO2 as an Electron Transport Layer in Planar
  • Controlled synthesis of Sn-based oxides via a hydrothermal method and their visible light photocatal
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