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J-GLOBAL ID：202103018359843230

導電体の製造方法

Inventor： 成塚 重弥 ,  山田 純平 ,  藤原 亨介
Applicant, Patent owner： 学校法人 名城大学
Agent (1)： 特許業務法人グランダム特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017174591
Publication number (International publication number)：2019050160
Patent number：6871614
Application date： Sep. 12, 2017
Publication date： Mar. 28, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 金属で形成された基体の表面にグラフェン層を成長させる第1グラフェン層成長工程と、 前記第1グラフェン層成長工程の後に、表面にメッキにより被覆層を形成する第1被覆層形成工程と、 を備え、 前記第1被覆層形成工程は電解メッキであるパルスメッキにより前記被覆層を形成し、 前記第1被覆層形成工程における前記パルスメッキのデューティ比は、35%〜17%であることを特徴とする導電体の製造方法。

IPC (6)：

H01B 5/02 ( 200 6.01) ,  H01F 5/00 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/26 ( 200 6.01) ,  B32B 1/08 ( 200 6.01) ,  B32B 15/04 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01B 5/02 A ,  H01F 5/00 F ,  H01B 13/00 501 E ,  H01B 13/00 501 A ,  C23C 16/26 ,  B32B 1/08 Z ,  B32B 15/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 導線とこれを用いたコイル、および前記コイルを用いたラウドスピーカ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-173673   Applicant：パナソニックIPマネジメント株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-334358   Applicant：三菱電機株式会社