Pat

J-GLOBAL ID：202103018401492558

酸化銅ナノワイヤおよびその製造方法

Inventor： 細井 厚志 ,  川田 宏之 ,  柳澤 一星 ,  松永 光広 ,  土肥 優希 ,  巨 陽
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  国立大学法人東海国立大学機構
Agent (1)： 特許業務法人牛木国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020043036
Publication number (International publication number)：2021143094
Application date： Mar. 12, 2020
Publication date： Sep. 24, 2021
Summary：

【課題】熱酸化法による酸化銅ナノワイヤ1の生成において、親水性または撥水性の制御を可能にする酸化銅ナノワイヤ1の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法で製造された酸化銅ナノワイヤ1を電極として適用し、静電容量等の電気化学特性が向上したスーパーキャパシタを提供する。【解決手段】銅基板2を加熱して銅基板2上に酸化銅ナノワイヤ1を生成する工程において、加熱温度および加熱時間を制御することにより、酸化銅ナノワイヤ1の親水性または撥水性を制御する。加熱温度を300°C以上500°C以下とし、加熱時間を5時間以上8時間以下とすることにより、親水性の酸化銅ナノワイヤ1を製造する。加熱温度を350°C以上550°C以下とし、加熱時間を1時間以上5時間未満とすることにより、撥水性の酸化銅ナノワイヤ1を製造する。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

銅基板を加熱して前記銅基板上に酸化銅ナノワイヤを生成する工程において、加熱温度および加熱時間を制御することにより、前記酸化銅ナノワイヤの親水性または撥水性を制御する、酸化銅ナノワイヤの製造方法。

IPC (6)：

C01G 3/02 ,  H01G 11/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  H01G 11/46 ,  H01G 11/86

FI (6)：

C01G3/02 ,  H01G11/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

F-Term (9)：

5E078AA01 ,  5E078AA15 ,  5E078AB04 ,  5E078BA07 ,  5E078BA27 ,  5E078BA73 ,  5E078BB30 ,  5E078DA07 ,  5E078ZA02