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J-GLOBAL ID：202103018501515121

成膜方法

Inventor： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広 ,  駒井 宏基
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019231941
Publication number (International publication number)：2021100077
Application date： Dec. 23, 2019
Publication date： Jul. 01, 2021
Summary：

【課題】 基体の表面にミストを供給することで酸化物膜を形成するときに、酸化物膜にモリブデンをドープする技術を提案する。【解決手段】 モリブデンがドープされているとともに半導体または導体の特性を有する酸化物膜を基体上に形成する成膜方法であって、前記基体を加熱しながら、前記酸化物膜の構成元素を含む酸化物膜材料とモリブデンのオキソアニオンを含有する溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する成膜方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

モリブデンがドープされているとともに半導体または導体の特性を有する酸化物膜を基体上に形成する成膜方法であって、 前記基体を加熱しながら、前記酸化物膜の構成元素を含む酸化物膜材料とモリブデンのオキソアニオンとを含有する溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、 を有する成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/368 ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/40

FI (5)：

H01L21/365 ,  H01L21/368 Z ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/40

F-Term (71)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB15 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077EC04 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TH01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA12 ,  4K030BA42 ,  4K030BA47 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA03 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC03 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053RR20