複合体および複合体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019167387
Publication number (International publication number)：2021041671
Application date： Sep. 13, 2019
Publication date： Mar. 18, 2021
Summary：

【課題】幅広い濃度領域で電子濃度が制御でき、大気中で長時間安定するN型ドープされた炭素系薄膜を提供する。【解決手段】炭素系薄膜を備える複合体の製造方法は、光塩基発生剤層形成工程と、紫外光照射工程を有する。光塩基発生剤層形成工程では、紫外光を透過する基材と、基材上に設けられた炭素系薄膜とを有する積層体の炭素系薄膜上に、光塩基発生剤層を形成する。紫外光照射工程では、積層体の基材側から紫外光を照射する。複合体は、N型ドープされた炭素系薄膜と、炭素系薄膜上に設けられ、光塩基発生剤に由来する塩基の誘導体で、炭素系薄膜のN型ドーパントである塩基誘導体と、炭素系薄膜上に設けられ、光塩基発生剤から塩基が脱離した物質に由来する酸誘導体を有する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

N型ドープされた炭素系薄膜と、前記炭素系薄膜上に設けられ、光塩基発生剤に由来する塩基の誘導体で、正電荷を帯びた塩基誘導体と、前記炭素系薄膜上に設けられ、前記光塩基発生剤から前記塩基が脱離した物質に由来する酸誘導体と、を有する複合体。

IPC (3)：

B32B 9/00 , C01B 32/194 , C01B 32/184

FI (4)：

B32B9/00 A , B32B9/00 Z , C01B32/194 , C01B32/184

F-Term (42)：

4F100AD11B , 4F100AH03C , 4F100AH03D , 4F100AK42A , 4F100AT00A , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10D , 4F100BA41B , 4F100EC04 , 4F100EH46 , 4F100EJ54 , 4F100EJ86 , 4F100GB41 , 4F100JD09A , 4F100JG01 , 4F100JG04 , 4F100YY00B , 4G146AA15 , 4G146AB07 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AC25B , 4G146AD22 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BA50 , 4G146BB23 , 4G146BC08 , 4G146BC16 , 4G146BC43 , 4G146CB12 , 4G146CB15 , 4G146CB17 , 4G146CB19 , 4G146CB26 , 4G146CB32 , 4G146CB35 , 4G146CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

積層体、光学部材および光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-180954 Applicant：日東電工株式会社
発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-068671 Applicant：株式会社東芝
硬化性作用基で表面修飾されたカーボンナノチューブを用いたパターン薄膜形成方法および高分子複合体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-050632 Applicant：三星電子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Photochemical Doping and Tuning of the Work Function and Dirac Point in Graphene Using Photoacid and

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