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J-GLOBAL ID：202103020676574982

膜電位センサー

Inventor： 坂本 雅行 ,  チョウ シャオミン ,  尾藤 晴彦 ,  須藤 雄気 ,  小島 慧一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人 岡山大学
Agent (2)： 奥原 康司 ,  関本 澄人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020070136
Publication number (International publication number)：2021167731
Application date： Apr. 09, 2020
Publication date： Oct. 21, 2021
Summary：

【課題】本発明は、従来のロドプシン型膜電位センサーよりも高輝度の膜電位センサーを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ロドプシンを含む膜電位センサーであって、当該ロドプシンの蛍光輝度が0.005以上である、前記膜電位センサーであって、より具体的には、例えば、下記(a)〜(c)のいずれかに記載のタンパク質であることを特徴とする膜電位センサーを提供するものである。(a)配列番号1で表されるアミノ酸配列からなるタンパク質、(b)配列番号1で表されるアミノ酸配列において、1もしくは数個のアミノ酸が置換、欠失、挿入および/または付加されたアミノ酸配列からなるタンパク質、および、(c)配列番号1で表されるアミノ酸配列と90%以上の配列同一性を有するアミノ酸配列からなるタンパク質【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ロドプシンを含む膜電位センサーであって、当該ロドプシンの蛍光輝度が0.005以上である、前記膜電位センサー。

IPC (3)：

G01N 33/50 ,  G01N 21/64 ,  G01N 33/15

FI (3)：

G01N33/50 Z ,  G01N21/64 F ,  G01N33/15 Z

F-Term (10)：

2G043AA03 ,  2G043BA17 ,  2G043CA04 ,  2G043DA01 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043KA02 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G045GC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• バイオ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-295606   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平3-171686
  
• 高い空間的および/または時間的精度での撮像のためのシステムおよび方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2014-543566   Applicant：プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高蛍光性ロドプシンによる新規膜電位センサーの開発