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J-GLOBAL ID：202104002672051719
Research Project code：16815839
二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用
二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用
National award number：JPMJCR16F4
Study period：2016 - 2021
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 工学院, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F4
Research overview：
二次元原子層状構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドのうち、硫化半導体をチャネルとする相補型MISトランジスタについて、清浄度・制御性が高い先端LSIプロセス(スパッタやMOCVD法)により高性能化し、プロセス物性とデバイス動作理論を体系化します。高速・低電力性に加えて透明・柔軟性を活かして、人との親和性を高めた高性能ディスプレイや人体パッチ等の応用を探索します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
