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J-GLOBAL ID:202104003669568995  Research Project code:16822565

高周波化を実現するGaNパワーモジュール実装技術開発

高周波化を実現するGaNパワーモジュール実装技術開発
National award number:JPMJAL1610
Study period:2016 - 2018
Organization (1):
Principal investigator: ( , 産業科学研究所, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJAL1610
Research overview:
GaNパワー半導体により、電力変換ロスの大幅低減と、高周波化による機器小型化が期待されていますが、エネルギー密度の著しい上昇に耐える耐熱実装技術が実用化のボトルネックです。銀焼結接合技術により、GaNの能力を最大限に生かす最適化実装を開発します。熱応力緩和、高周波化ノイズ低減、ナノレベル評価により、モジュールの高信頼性を獲得します。GaNの特性が生きたパワー・モジュールの早期普及を狙います。
Terms in the title (5):
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
Research program:
Parent Research Project: 革新的省・創エネルギーシステム・デバイス
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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