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J-GLOBAL ID：202104006170230178  Research Project code：21446748

極限環境省エネルギーパワーエレクトロニクスの創成

極限環境省エネルギーパワーエレクトロニクスの創成
National award number：JPMJTR21R3
Study period：2021 - 2021
Organization (1)：
国立大学法人大阪大学

About 国立大学法人大阪大学


Research responsibility：
渡部 平司

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(
国立大学法人大阪大学

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, 大学院工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR21R3
Research overview：
パワーエレクトロニクスは電気エネルギーの高効率利用に不可欠であり、with/postコロナにおける省エネ社会構築に大きなインパクトを有する。シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスの実用化が始まったが、現行のMOS型電界効果トランジスタの性能は、絶縁膜/SiC界面欠陥の影響で材料物性から期待される性能に遥かに及ばない。本提案では、申請者が有する技術シーズ(絶縁膜界面特性改善技術、新規絶縁膜堆積技術、界面物性評価技術)を駆使してSiC MOS界面の高品質化を図り、極限環境下で動作可能なCMOS(相補型MOS)インバータ回路を試作し、極限環境エレクトロニクスの創成に取り組む。
Terms in the title (4)：
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省エネルギー

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パワーエレクトロニクス

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Research program：
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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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