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J-GLOBAL ID:202104008430695040  Research Project code:7700001351

表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス

表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス
National award number:JPMJCR9883
Study period:1998 - 2003
Organization (1):
Principal investigator: ( , 理工学部 )
Research overview:
ダイヤモンドのホモおよびヘテロエピタキシャル成長技術、微細加工技術の高精度化により、高電界、高周波でのデバイス動作を検討します。さらに表面吸着原子制御をnmスケールあるいは原子スケールで行い、他の半導体では不可能な超微細FETあるいは新機能デバイスの作製をめざします。表面科学と電子デバイスにおける知的資産の有機的な連携により、将来の情報通信、エネルギ一、セキュリティ産業への貢献が期待されます。
Research program:
Parent Research Project: 電子・光子等の機能制御
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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