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J-GLOBAL ID：202104008430695040
Research Project code：7700001351
表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス
表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス
National award number：JPMJCR9883
Study period：1998 - 2003
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 理工学部, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR9883
Research overview：
ダイヤモンドのホモおよびヘテロエピタキシャル成長技術、微細加工技術の高精度化により、高電界、高周波でのデバイス動作を検討します。さらに表面吸着原子制御をnmスケールあるいは原子スケールで行い、他の半導体では不可能な超微細FETあるいは新機能デバイスの作製をめざします。表面科学と電子デバイスにおける知的資産の有機的な連携により、将来の情報通信、エネルギ一、セキュリティ産業への貢献が期待されます。
Terms in the title (2)：
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,
Research program：
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Parent Research Project：
電子・光子等の機能制御
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
