酸化物へテロナノワイヤを用いたクロスバー構造メモリデバイスの開発

Study period：2008 - 2008
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 産業科学研究所, 助手 )
Research overview：

従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を、?不揮発性メモリ効果、整流性及び電気伝導部位を兼ね備える酸化物ナノワイヤへテロ構造体を創成し、?作製されたヘテロナノワイヤをSiO2基板上でクロスバー構造化することにより実現する。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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