酸化物ナノワイヤ構造を用いた不揮発性メモリ素子の開発

Study period：2007 - 2007
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 産業科学研究所, 助手 )
Research overview：

ボトムアップ的に作製されるナノ領域10nm以下の酸化物ナノワイヤをテンプレートとした新規ナノへテロ構造を高温プロセスで作製し、作製されたヘテロナノワイヤをシリコン基板上の電極間に低温プロセスでポジショニングすることにより、従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を実現する。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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