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J-GLOBAL ID：202104015246470490
Research Project code：08062828
ナノ半導体への不純物ドーピング効果の解明と低抵抗ナノフィルム半導体の創製
ナノ半導体への不純物ドーピング効果の解明と低抵抗ナノフィルム半導体の創製
National award number：JPMJPR08N2
Study period：2008 - 2010
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院理工学研究科, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR08N2
Research overview：
ナノスケール半導体は、量子効果によりバルクと異なる性質を示すことが知られており、次世代情報処理デバイス用の高機能性材料として注目を集めています。一方で、半導体デバイスの実現には、ドナーやアクセプターとよばれる不純物原子を導入することが必要です。本研究では、ナノ半導体に不純物原子を高濃度で導入する方法を開発するとともに、ナノ半導体中での不純物原子の特異な性質を明らかします。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノ製造技術の探索と展開
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
