Proj
J-GLOBAL ID：202104018604596972
Research Project code：14528225
CMOS技術と機能性強誘電体薄膜を用いた新規フォトニックデバイスの開発(FF-Photon)
CMOS技術と機能性強誘電体薄膜を用いた新規フォトニックデバイスの開発(FF-Photon)
Study period：2014 - 2016
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院理工学研究科(工学系), 教授 )
Research overview：
本研究は、CMOS技術に適合する条件で、シリコンウェハー上に高い電気光学特性を持つ強誘電体薄膜の作製技術を開発し、新しい超小型低消費電力プラズモニック光学デバイスの作製とその優位性を示すことを目的とする。 具体的には、日本側はシリコンウェハー上への強誘電体薄膜の集積技術の構築を担当する。スイス側はデバイス設計と作製を担当し、イタリア側はデバイス評価を担当する。 日欧の研究チームが相互補完的に取り組むことで、強誘電体薄膜の電気光学特性が解明され、シリコンウェハーに集積されたマイクロメートルサイズの超小型フォトニックデバイスが経済的かつ実用化に適した形で製作されることが期待される。
Terms in the title (5)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
,
,
,
,
Research program：
＞
＞
＞
Parent Research Project：
光技術を用いたものづくり
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
