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J-GLOBAL ID:202104019978404364  Research Project code:11103818

高品質BiFeO3薄膜形成のためのスパッタリングプロセス

高品質BiFeO3薄膜形成のためのスパッタリングプロセス
Study period:2011 - 2012
Organization (1):
Research responsibility: ( , 大学院工学研究科 )
Research overview:
本研究では、量産に適したRFマグネトロンスパッタリングのターゲット表面磁場が BFO 薄膜の表面形状、D-Eヒステリシス特性に及ぼす影響を調べ、強磁場を用いると良好な特性が得られることを示した。また、傾斜基板を用い、その傾斜方向および角度を変化させることでドメイン構造を制御した。その結果、シングルドメイン薄膜を作製することができ、室温で完全に飽和したヒステリシス特性の観察に成功した。しかし、良好な特性が得られるメカニズムは未だ不明であり、今後は更にプロセス条件の必要条件を見極め、最適プロセスを見出す。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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