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J-GLOBAL ID：202104020741109935  Research Project code：08003117

三極型高周波プラズマCVD法による32nm 世代LSI用カーボンナノチューブ配線の作製技術の開発

三極型高周波プラズマCVD法による32nm 世代LSI用カーボンナノチューブ配線の作製技術の開発
Study period：2007 - 2007
Organization (1)：
東海大学

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Principal investigator：
庄 善之

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(
東海大学

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, 工学部 電気電子工学科, 助教授 )
Research overview：
2010年に実用化が予定されている32nm世代の大規模集積回路(LSI)では,配線材料として カーボンナノチューブ(CNT)の使用が提案されている.本研究では,代表研究者が開発した三極型高周波プラズマCVD法を用いて,大面積のSiウエハー(300mm)上の配線部分に,400°C台で,CNTを作製する技術を開発する.その結果,32nm世代のLSI開発に必要なCNT配線の作製技術を確立する.
Terms in the title (7)：
Terms in the title
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Research program：
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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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