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J-GLOBAL ID：202203000040617351

ダイヤモンド半導体基板の製造方法

Inventor： 関 章憲 ,  川原田 洋 ,  平岩 篤 ,  蔭浦 泰資
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人早稲田大学
Agent (6)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  鶴田 準一 ,  伊藤 公一 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018215652
Publication number (International publication number)：2019094254
Patent number：7096143
Application date： Nov. 16, 2018
Publication date： Jun. 20, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ダイヤモンド基板にイオン注入を行うこと、 前記イオン注入が行われたダイヤモンド基板の表面に、カーボン層を形成すること、並びに 前記カーボン層を形成したダイヤモンド基板を、式(1): -4/5×X+1420≦Y≦-4/5×X+1512 (1) (式中、前記Xは熱処理温度であり、前記Yは熱処理時間であり、前記X及びYの範囲は、1600°C≦X≦1880°C、及び8分間≦Y≦140分間である) を満たす条件で熱処理することを含む、ダイヤモンド半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C30B 31/22 ( 200 6.01) ,  C30B 33/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/04 V ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Z