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J-GLOBAL ID：202203000040617351

ダイヤモンド半導体基板の製造方法

Inventor： 関 章憲 ,  川原田 洋 ,  平岩 篤 ,  蔭浦 泰資
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人早稲田大学
Agent (6)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  鶴田 準一 ,  伊藤 公一 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018215652
Publication number (International publication number)：2019094254
Patent number：7096143
Application date： Nov. 16, 2018
Publication date： Jun. 20, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ダイヤモンド基板にイオン注入を行うこと、 前記イオン注入が行われたダイヤモンド基板の表面に、カーボン層を形成すること、並びに 前記カーボン層を形成したダイヤモンド基板を、式(1): -4/5×X+1420≦Y≦-4/5×X+1512 (1) (式中、前記Xは熱処理温度であり、前記Yは熱処理時間であり、前記X及びYの範囲は、1600°C≦X≦1880°C、及び8分間≦Y≦140分間である) を満たす条件で熱処理することを含む、ダイヤモンド半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C30B 31/22 ( 200 6.01) ,  C30B 33/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/04 V ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 炭化物被覆ダイヤモンド粉末
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251970   Applicant：株式会社石塚研究所
• ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-084110   Applicant：日本電信電話株式会社
• 不純物イオン注入層の活性化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-090747   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 田中保宣, 荒井和雄, 田上尚男, 小林直人
• ダイヤモンド配線基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-010708   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社
• グラファイト積層ダイヤモンド基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-180891   Applicant：学校法人早稲田大学, トヨタ自動車株式会社