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J-GLOBAL ID:202203000225426153
炭素ナノ材料含有膜を加工する方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2021063926
Publication number (International publication number):2022048074
Application date: Apr. 05, 2021
Publication date: Mar. 25, 2022
Summary:
【課題】基板上に形成された炭素ナノ材料含有膜を容易にかつ速やかにエッチング加工するための方法を提供すること。
【解決手段】この加工方法は、基板上の炭素ナノ材料含有膜上にレジストマスクおよび/または金属マスクを形成すること、酸化剤を含むエッチャントの存在下、炭素ナノ材料含有膜に光照射すること、並びにレジストマスクおよび/または金属マスクを除去することを含む。炭素ナノ材料は、カーボンナノチューブ、グラフェン、またはフラーレンであってもよい。炭素ナノ材料含有膜は、単層のグラフェンまたはグラフェンの積層膜であってもよい。酸化剤としては、次亜塩素酸と次亜塩素酸ナトリウムから選択することができる。エッチャント中における酸化剤の濃度は、例えば1重量%以上25重量%の範囲内から調整すればよい。
【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上の炭素ナノ材料含有膜上にレジストマスクおよび/または金属マスクを形成すること、
酸化剤を含むエッチャントの存在下、前記炭素ナノ材料含有膜に光照射すること、並びに
前記レジストマスクおよび/または前記金属マスクを除去することを含む、炭素ナノ材料含有膜を加工する方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (16):
4G146AA01
, 4G146AA07
, 4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146AD20
, 4G146AD22
, 4G146AD26
, 4G146AD29
, 4G146CA16
, 4G146CB10
, 4G146CB12
, 4G146CB14
, 4G146CB15
, 4G146CB16
, 4G146CB32
Patent cited by the Patent:
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