Pat
J-GLOBAL ID:202203000362034947
誘電体膜およびそれを用いたキャパシタならびに誘電体膜の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
山尾 憲人
, 吉田 環
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2021090488
Publication number (International publication number):2022182764
Application date: May. 28, 2021
Publication date: Dec. 08, 2022
Summary:
【課題】広い温度範囲(例えば20~150°C)に亘って絶縁性が高い誘電体膜を提供する。
【解決手段】パイロクロア型または層状ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体膜であって、一般式A
2
B
2-2x
Z
2x
O
7
(式中、Aは、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群より選択される2つ以上の元素であって、このうち各1つの元素として互いに異なるA
1
およびA
2
を含み、Bは、Ti、Zr、Hf、V、NbおよびTaからなる群より選択される2つ以上の元素であって、このうち各1つの元素として互いに異なるB
1
およびB
2
を含み、Zは、Cr、MoおよびWからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり、xは0<x≦0.25を満たす)で表される組成を有する、誘電体膜。
【選択図】なし
Claim (excerpt):
パイロクロア型または層状ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体膜であって、
一般式A
2
B
2-2x
Z
2x
O
7
(式中、Aは、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群より選択される2つ以上の元素であって、このうち各1つの元素として互いに異なるA
1
およびA
2
を含み、Bは、Ti、Zr、Hf、V、NbおよびTaからなる群より選択される2つ以上の元素であって、このうち各1つの元素として互いに異なるB
1
およびB
2
を含み、Zは、Cr、MoおよびWからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり、xは0<x≦0.25を満たす)で表される組成を有する、誘電体膜。
IPC (3):
C23C 14/08
, C23C 16/40
, H01L 21/316
FI (3):
C23C14/08 K
, C23C16/40
, H01L21/316 Y
F-Term (21):
4K029BA50
, 4K029BB07
, 4K029CA05
, 4K029DC34
, 4K029DC35
, 4K029GA01
, 4K030AA11
, 4K030BA06
, 4K030BA10
, 4K030BA12
, 4K030BA13
, 4K030BA17
, 4K030BA18
, 4K030BA19
, 4K030BA20
, 4K030BA22
, 4K030BA42
, 4K030BB03
, 5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BF12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
薄膜コンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-278613
Applicant:株式会社村田製作所
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国際公開第2020/246363号
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