トレンチMOS型ショットキーダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：特許業務法人平田国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022068429
Publication number (International publication number)：2022087348
Application date： Apr. 18, 2022
Publication date： Jun. 09, 2022
Summary：

【課題】高耐圧かつ低損失のトレンチMOS型ショットキーダイオードを提供する。【解決手段】Ga 2 O 3 系単結晶からなる第1の半導体層10と、面17に開口するトレンチ12を有する、Ga 2 O 3 系単結晶からなる第2の半導体層11と、面17上に形成されたアノード電極13と、第1の半導体層10の面上に形成されたカソード電極14と、第2の半導体層11のトレンチ12の内面を覆う絶縁膜15と、第2の半導体層11のトレンチ12内に絶縁膜15に覆われるように埋め込まれ、アノード電極13に接触するトレンチMOSゲート16と、を有し、第2の半導体層11が、第1の半導体層側の下層11bと、下層11bよりも高いドナー濃度を有する、アノード電極13側の上層11aとから構成され、1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が600V以上1200V以下である、トレンチMOS型ショットキーダイオード1を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

β型のGa 2 O 3 系単結晶からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層に積層される層であって、その前記第1の半導体層と反対側の面に開口する複数のトレンチを有する、β型のGa 2 O 3 系単結晶からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側の面上に形成されたアノード電極と、前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、前記第2の半導体層の前記トレンチの内面を覆う絶縁膜と、前記第2の半導体層の前記トレンチ内に前記絶縁膜に覆われるように埋め込まれ、前記アノード電極に接触するトレンチMOSゲートと、を有し、前記第2の半導体層が、前記第1の半導体層側の下層と、前記下層よりも高いドナー濃度を有する、前記アノード電極側の上層とから構成され、 1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が600V以上1200V以下である、トレンチMOS型ショットキーダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/06

FI (7)：

H01L29/86 301F , H01L29/86 301D , H01L29/86 301E , H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L29/06 301V , H01L29/06 301F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ショットキーバリアダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-245519 Applicant：株式会社タムラ製作所
結晶性積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-095287 Applicant：株式会社FLOSFIA
半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-152410 Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構

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