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J-GLOBAL ID：201303097952080379

ショットキーバリアダイオード

Inventor：
滝沢 勝

About 滝沢 勝

, 
倉又 朗人

About 倉又 朗人


Applicant, Patent owner：
株式会社タムラ製作所

About 株式会社タムラ製作所


Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011245519
Publication number (International publication number)：2013102081
Application date： Nov. 09, 2011
Publication date： May. 23, 2013
Summary：
【課題】逆方向耐圧を大きくしても順方向電圧の増大、オーミック電極層とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード1は、n型の導電性を有するGa2O3系化合物半導体からなるn型半導体層3と、n型半導体層3に対しショットキー接触するショットキー電極層2とを備え、n型半導体層3には、ショットキー電極層2にショットキー接触する電子キャリア濃度が比較的低いn-半導体層31と、n-半導体層31よりも高い電子キャリア濃度を有するn+半導体層32とが形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n型の導電性を有するGa2O3系化合物半導体からなるn型半導体層と、前記n型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備え、 前記n型半導体層には、前記電極層にショットキー接触する第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第2の半導体層とが形成されているショットキーバリアダイオード。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
F-Term (15)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104FF03 ,  4M104FF10 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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