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J-GLOBAL ID：202203001259942980

紫外線発光素子

Inventor：
吉川 陽

About 吉川 陽

, 
張 梓懿

About 張 梓懿


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (2)： 田中 秀▲てつ▼ ,  森 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020147116
Publication number (International publication number)：2022041738
Application date： Sep. 01, 2020
Publication date： Mar. 11, 2022
Summary：
【課題】高い発光強度を有する紫外線発光素子を得る。 【解決手段】紫外線発光素子は、Alを含む窒化物半導体を含む基板と、基板上に配置され、AlおよびGaを含む第1導電型窒化物半導体層と、第1導電型窒化物半導体層上に配置され、AlおよびGaを含む窒化物半導体を含む発光層と、発光層上に配置され、第1導電型窒化物半導体層と異なる導電型を有する第2導電型窒化物半導体層と、を備えている。第2導電型窒化物半導体層は、Mgを含み、第2導電型窒化物半導体層におけるMgの濃度は、8×10 19 cm -3 以上1×10 21 cm -3 以下であり、かつ層厚が1nm以上20nm以下である。 【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Alを含む窒化物半導体を含む基板と、 前記基板上に配置され、AlおよびGaを含む第1導電型窒化物半導体層と、 前記第1導電型窒化物半導体層上に配置され、AlおよびGaを含む窒化物半導体を含む発光層と、 前記発光層上に配置され、前記第1導電型窒化物半導体層と異なる導電型を有する第2導電型窒化物半導体層と、 を備え、 前記第2導電型窒化物半導体層は、Mgを含み、前記第2導電型窒化物半導体層における前記Mgの濃度は、8×10 19 cm -3 以上1×10 21 cm -3 以下であり、かつ膜厚が1nm以上20nm以下である 紫外線発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/36
FI (2)：
H01L33/32 ,  H01L33/36
F-Term (19)：
5F241AA03 ,  5F241AA21 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA57 ,  5F241CA60 ,  5F241CA64 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241CA73 ,  5F241CA74 ,  5F241CA76 ,  5F241CA85 ,  5F241CA87 ,  5F241CB03 ,  5F241CB15 ,  5F241FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 国際公開第2015/133000号
Cited by examiner (2)

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