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J-GLOBAL ID：201903019945521339

窒化物半導体発光素子

Inventor：
長谷川 亮介

About 長谷川 亮介

, 
吉川 陽

About 吉川 陽

, 
張 梓懿

About 張 梓懿

, 
森下 朋浩

About 森下 朋浩


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (2)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017241823
Publication number (International publication number)：2019110195
Application date： Dec. 18, 2017
Publication date： Jul. 04, 2019
Summary：
【課題】低い駆動電圧で高い発光効率が得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子は、基板1と、基板上に形成された第一のIII族窒化物半導体層2と、第一のIII族窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体積層体3と、第一電極層4と、第二電極層5と、を有する。窒化物半導体積層体3は、AlおよびGaを少なくとも含むIII族窒化物半導体活性層と、AlxGa(1-x)N(0.90≦x≦1.00)層であるキャリア防壁層33と、第二のIII族窒化物半導体層35とを、基板側からこの順に含む。第一電極層4はアルミニウムを含み、第一のIII族窒化物半導体層に対する接触面41または接触面近傍面に、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金の両方が存在し、これらの合計存在率が70面積%以上である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に形成され、アルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)を少なくとも含む第一のIII族窒化物半導体層と、 前記第一のIII族窒化物半導体層上の一部に形成された窒化物半導体積層体であって、アルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)を少なくとも含むIII族窒化物半導体活性層と、AlxGa(1-x)N(0.90≦x≦1.00)層であるキャリア防壁層と、第二のIII族窒化物半導体層とを、前記基板側からこの順に含む窒化物半導体積層体と、 前記第一のIII族窒化物半導体層上に形成された第一電極層と、 前記第二のIII族窒化物半導体層上に形成された第二電極層と、 を有し、 前記第一電極層はアルミニウムを含み、 前記第一電極層の前記第一のIII族窒化物半導体層に対する接触面または接触面近傍面に、前記第一電極層に含まれるアルミニウムの少なくとも一部が存在し、前記接触面または接触面近傍面におけるアルミニウムおよびアルミニウムを含む合金の合計存在率が70面積%以上である窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/40 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/28
FI (3)：
H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L21/28 301B
F-Term (28)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD80 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F241AA03 ,  5F241AA40 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA57 ,  5F241CA60 ,  5F241CA85 ,  5F241CA87 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CB03 ,  5F241FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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