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J-GLOBAL ID：202203002205811690

熱電材料および熱電材料の製造方法

Inventor： 齋藤 亘 ,  林 慶 ,  黄 志成 ,  宮▲崎▼ 讓
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (3)： 棚井 澄雄 ,  飯田 雅人 ,  及川 周
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021023528
Publication number (International publication number)：2022125757
Application date： Feb. 17, 2021
Publication date： Aug. 29, 2022
Summary：

【課題】高い出力因子PFと低い熱伝導率を両立し、優れた無次元性能指数zTを有するMg-Sn系熱電材料を提供する。 【解決手段】本開示の熱電材料は、Mgと、Snと、キャリアをドープするドープ元素Xと、を含有し、単一の結晶からなる単結晶体であり、前記Mgの空孔欠陥の比率であるαが0%超、20.0%以下である。 【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Mgと、 Snと、 キャリアをドープするドープ元素Xと、 を含有し、 単一の結晶からなる単結晶体であり、 前記Mgの空孔欠陥の比率であるαが0%超、20.0%以下である、熱電材料。

IPC (2)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (2)：

H01L35/14 ,  H01L35/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 4元系マグネシウムスズ化合物及びそれを用いた熱電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-194720   Applicant：国立大学法人山口大学
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-297657   Applicant：FDK株式会社
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-211420   Applicant：FDK株式会社
• 直接的熱電エネルギー変換のための素子を製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-527811   Applicant：ニコラウミッシェルシー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Control of the Thermoelectric Properties of Mg2Sn Single Crystals via Point-Defect Engineering