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J-GLOBAL ID：202203002344878766

固体電解質、電解質層、電池及び固体電解質の製造方法

Inventor： 八島 正知 ,  村上 泰斗 ,  藤井 孝太郎 ,  城島 一暁 ,  森川 里穂 ,  安井 雄太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (5)： 田▲崎▼ 聡 ,  飯田 雅人 ,  小林 淳一 ,  川越 雄一郎 ,  春田 洋孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022033668
Publication number (International publication number)：2022136049
Application date： Mar. 04, 2022
Publication date： Sep. 15, 2022
Summary：

【課題】高いイオン伝導度を有し、周囲の温度又は気体条件によってもイオン伝導度の安定した固体電解質、それを用いた電解質層、電池及び固体電解質の製造方法を提供する。 【解決手段】特定の化合物を含む固体電解質であって、前記化合物は、下記一般式(1)などで表される化合物である、固体電解質、電解質層、電池及び固体電解質の製造方法である。A 5-x B 1-y M 4-z X 16-w ・・・(1) [式(1)中、Aは陽イオンで、Aの欠損量xは-4~4の数値である。Bは陽イオンで、Bの欠損量yは-0.5~0.5の数値である。Mは陽イオンで、Mの欠損量zは-2~2の数値である。Xは陰イオンで、Xの欠損量wは-3~3の数値である。] 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

六方ペロブスカイト関連化合物を含む固体電解質であって、前記化合物は、下記一般式(1)で表される化合物である、固体電解質。 A 5-x B 1-y M 4-z X 16-w ・・・(1) [式(1)中、Aは陽イオンで、Aの欠損量xは-4~4の数値である。Bは陽イオンで、Bの欠損量yは-0.5~0.5の数値である。Mは陽イオンで、Mの欠損量zは-2~2の数値である。Xは陰イオンで、wは陰イオンXの欠損量であり、-3~3の数値である。]

IPC (4)：

H01M 10/056 ,  H01B 1/06 ,  H01B 1/08 ,  H01B 13/00

FI (4)：

H01M10/0562 ,  H01B1/06 A ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 Z

F-Term (10)：

5G301CA02 ,  5G301CA12 ,  5G301CD01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第6448020号公報
  
• 国際公開第2020-153485号