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J-GLOBAL ID:202203002373542521

シリコン量子ドット前駆体、シリコン量子ドット、シリコン量子ドット前駆体の製造方法及びシリコン量子ドットの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 匡輝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020154517
Publication number (International publication number):2022048615
Application date: Sep. 15, 2020
Publication date: Mar. 28, 2022
Summary:
【課題】HSQポリマーの構造を調整することにより、特性を制御可能なシリコン量子ドット前駆体、シリコン量子ドット、シリコン量子ドット前駆体の製造方法及びシリコン量子ドットの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るシリコン量子ドット前駆体は、CH 3 O 1.5 で表されるメトキシ基を有する水素シルセスキオキサンポリマーからなる。また、本発明に係るシリコン量子ドット前駆体の製造方法は、トリクロロシランとアルコールとを混合して混合物を生成するアルコール混合工程と、混合物と水とを反応させて水素シルセスキオキサンポリマーを生成する高分子合成工程と、を含む。 【選択図】図1
Claim (excerpt):
CH 3 O 0.5 で表されるメトキシ基を有する水素シルセスキオキサンポリマーからなる、 ことを特徴とするシリコン量子ドット前駆体。
IPC (4):
C01B 33/021 ,  C08G 77/12 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
FI (4):
C01B33/021 ,  C08G77/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00
F-Term (59):
4G072AA01 ,  4G072AA03 ,  4G072BB05 ,  4G072BB11 ,  4G072BB13 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ38 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR02 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072UU30 ,  4H001XA01 ,  4H001XA06 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4J246AA03 ,  4J246AA19 ,  4J246BA120 ,  4J246BA12X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB02X ,  4J246CA010 ,  4J246CA019 ,  4J246CA01X ,  4J246CA050 ,  4J246CA059 ,  4J246CA05U ,  4J246CA05X ,  4J246CA130 ,  4J246CA139 ,  4J246CA13M ,  4J246CA13X ,  4J246FA061 ,  4J246FA131 ,  4J246FA151 ,  4J246FA321 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FA461 ,  4J246FA621 ,  4J246FE02 ,  4J246FE06 ,  4J246FE40 ,  4J246GB13 ,  4J246GB32 ,  4J246GD09 ,  4J246HA56
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • Faraday Discuss., 2020, 222, 390-404
  • Chem. Lett., 2017, 46, 699-702
  • Scientific Reports, 20161110, 6:36951, 1-11

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