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J-GLOBAL ID：202203004264381294

化合物及びその製造方法、並びに、複合材料

Inventor： 米田 佳弘 ,  馬渡 芳夫 ,  秋次 宏二 ,  磯部 敏宏
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (1)： 特許業務法人竹内・市澤国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1014478
Patent number：7029576
Application date： Apr. 05, 2021
Summary：

【要約】 負の熱膨張率を示し、且つ絶縁抵抗が高い新たな化合物を提供する。 組成式Zr 2.00-bM bS YP ZO 12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0<Y<0.30、Z≧2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物、又は、組成式Zr 2.00-bM bS YP ZO 12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0.30≦Y≦1.00、Z>2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物である。

Claim (excerpt)：

【請求項1】 組成式Zr2.00-bMbSYPZO12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0<Y<0.30、Z≧2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物。

IPC (3)：

C01G 25/00 ( 200 6.01) ,  C01G 41/00 ( 200 6.01) ,  C01G 39/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

C01G 25/00 ,  C01G 41/00 Z ,  C01G 39/00 Z