Pat
J-GLOBAL ID：202203005921055650
超伝導装置及び磁石装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
樋口 天光
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：8031681
Patent number：7122007
Application date： Aug. 28, 2018
Claim (excerpt)：
【請求項1】 磁場を発生させる磁石部を備えた磁石装置に備えられる超伝導装置において、 前記磁石部の外部にそれぞれ設けられた複数の第1超伝導バルク体を含む第1超伝導バルク体群を有し、 前記磁石部は、 第1極性を有する第1磁極と、 前記第1極性と反対の第2極性を有する第2磁極と、 を有し、 前記第1磁極、前記第1超伝導バルク体群及び前記第2磁極は、第1軸の周りの環状経路に沿って、前記第1磁極、前記第1超伝導バルク体群、前記第2磁極の順に配置され、 前記複数の第1超伝導バルク体の各々は、超伝導状態で磁場を捕捉し、 それぞれ磁場を捕捉している前記複数の第1超伝導バルク体と前記磁石部とにより、磁束が通る閉回路であり、且つ、前記環状経路に沿って、前記第1磁極から前記第1超伝導バルク体群を経て前記第2磁極に戻る、磁気回路が形成され、 前記第1超伝導バルク体群に含まれる前記複数の第1超伝導バルク体は、前記複数の第1超伝導バルク体の各々が超伝導状態で磁場を捕捉することにより、前記第1磁極から出た磁束が、前記複数の第1超伝導バルク体を順次通って前記第2磁極に戻るように、前記環状経路に沿って配列され、 前記第1超伝導バルク体群は、前記環状経路に沿って、前記第1磁極と隣り合い、且つ、前記第2磁極と隣り合わず、 前記複数の第1超伝導バルク体のうち、前記環状経路に沿って前記第1磁極に最も近い側に配置された第1超伝導バルク体の、前記環状経路に垂直な断面の外周長さは、前記複数の第1超伝導バルク体のうち、前記環状経路に沿って前記第1磁極に最も近い側と反対側に配置された第1超伝導バルク体の、前記環状経路に垂直な断面の外周長さよりも長い、超伝導装置。
IPC (1)：
FI (1)：
Return to Previous Page
