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J-GLOBAL ID：202203006856476827

含フッ素錯体化合物、及びこれを用いる含フッ素有機化合物の製造方法

Inventor： 足達 健二 ,  柴沼 俊 ,  永井 隆文 ,  生越 專介 ,  大橋 理人
Applicant, Patent owner： ダイキン工業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018029704
Publication number (International publication number)：2020073465
Patent number：7078935
Application date： Oct. 02, 2014
Publication date： May. 14, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 式(4-1):(Ra1S-)ma1Ra1L-CF2-CF2-Ra2L(-Ra2S)ma2 (4-1)[式中、 式:(Ra1S-)ma1Ra1Lで表される部分は、ma1個のRa1Sで置換されたRa1Lを表し; 式:Ra2L(-Ra2S)ma2で表される部分は、ma2個のRa2Sで置換されたRa2Lを表し; Ra1S、及びRa2Sは、同一又は異なって、及び各出現において独立して、(1)アルデヒド基、(2)ビニル基、及び(3)トリメチルシリル基で置換されたアルキニル基を表し; ma1、及びma2は、同一又は異なって、0以上の整数を表し、及びma1とma2の合計は1以上であり;及び Ra1L、及びRa2Lは、同一又は異なって、パーフルオロ有機基、及びペンタフルオロスルファニル基からなる群より選択される1個以上の置換基を有していてもよい芳香環基を表す。]で表される含フッ素化合物。

IPC (4)：

C07C 22/08 ( 200 6.01) ,  C07C 47/55 ( 200 6.01) ,  C07D 307/89 ( 200 6.01) ,  C07F 7/12 ( 200 6.01)

FI (4)：

C07C 22/08 ,  C07C 47/55 ,  C07D 307/89 Z ,  C07F 7/12 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特公昭49-010669
  
• 含フッ素ビスフェノール、それらの製造、それらの前駆体及び中間体と含フッ素ビスフェノールの使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-152162   Applicant：バイエルアクチェンゲゼルシャフト
• 液晶性ビニルケトン誘導体およびその重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-198974   Applicant：チッソ石油化学株式会社
• 特開昭50-119841
  
• 五フッ化硫黄化合物及び該化合物を含有する液晶組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-015353   Applicant：セイミケミカル株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Heptafluorobenzyl bromide
• reductive Dimerization of dithianylium salts and fluorodesulfuration: a new synthetic approach to te
• ADDITION OF FLUORINE TO TOLANES