Pat
J-GLOBAL ID:202203007771624009

電気光学変調器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 宮崎 昭夫 ,  緒方 雅昭
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2017071594
Publication number (International publication number):2018173539
Patent number:6992961
Application date: Mar. 31, 2017
Publication date: Nov. 08, 2018
Claim (excerpt):
【請求項1】基板上にSiあるいはSiGe結晶を含む導波路構造を具備する電気光学変調器において、前記SiあるいはSiGe結晶の<110>方向が基板平面方向にあり、前記導波路構造内を伝播する光の電界方向が前記<110>方向とほぼ平行となるように設定されることを特徴とする電気光学変調器。
IPC (1):
G02F 1/025 ( 200 6.01)
FI (1):
G02F 1/025
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 導波路型共振器デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2010-102416   Applicant:富士通株式会社
  • 光変調器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2013-027792   Applicant:国立大学法人東京大学
Cited by examiner (2)
  • 導波路型共振器デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2010-102416   Applicant:富士通株式会社
  • 光変調器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2013-027792   Applicant:国立大学法人東京大学
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • Ge-rich SiGe-on-insulator for waveguide optical modulator application fabricated by Ge condensation
Cited by examiner (2)
  • Ge-rich SiGe-on-insulator for waveguide optical modulator application fabricated by Ge condensation
  • Ge-rich SiGe-on-insulator for waveguide optical modulator application fabricated by Ge condensation

Return to Previous Page