Pat
J-GLOBAL ID:201103071811860423
導波路型共振器デバイス
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
伊東 忠彦
, 山口 昭則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010102416
Publication number (International publication number):2011232529
Application date: Apr. 27, 2010
Publication date: Nov. 17, 2011
Summary:
【課題】光の伝播損失が少なく、バラツキの少ない導波路型共振器デバイスを提供する。【解決手段】光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、を有し、前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるPIN接合構造を有し、前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、前記共振器は、前記角部分のいずれか1つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、前記直線部分は、前記シリコン層における[1 0 0]方向、[0 1 0]方向、[0 0 1]方向、[1 1 0]方向、[1 0 1]方向、[0 1 1]方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイスにより上記課題を解決する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、
前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、
を有し、
前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるPIN接合構造を有し、
前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、
前記共振器は、前記角部分のいずれか1つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、
前記直線部分は、前記シリコン層における[1 0 0]方向、[0 1 0]方向、[0 0 1]方向、[1 1 0]方向、[1 0 1]方向、[0 1 1]方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイス。
IPC (3):
G02B 6/122
, G02F 1/025
, G02B 6/12
FI (3):
G02B6/12 C
, G02F1/025
, G02B6/12 J
F-Term (12):
2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
, 2H147AB02
, 2H147AC01
, 2H147EA13A
, 2H147EA14B
, 2H147EA36A
, 2H147FA03
, 2H147FC05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
光変調器、光源装置及び前記光変調器の駆動方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-107195
Applicant:日本電気株式会社
-
特開昭59-181704
-
導波路共振器型光バッファ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-229435
Applicant:国立大学法人東京大学
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-183810
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置、半導体レーザー、ジャイロ及びジャイロの操作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-295315
Applicant:キヤノン株式会社
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Cited by examiner (5)
-
光変調器、光源装置及び前記光変調器の駆動方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-107195
Applicant:日本電気株式会社
-
特開昭59-181704
-
導波路共振器型光バッファ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-229435
Applicant:国立大学法人東京大学
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-183810
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置、半導体レーザー、ジャイロ及びジャイロの操作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-295315
Applicant:キヤノン株式会社
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