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J-GLOBAL ID：202203008797615462

炭化ケイ素を備える複合体とその製造方法

Inventor： 松前 貴司 ,  高木 秀樹 ,  梅沢 仁 ,  倉島 優一 ,  日暮 栄治
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021041360
Publication number (International publication number)：2022141171
Application date： Mar. 15, 2021
Publication date： Sep. 29, 2022
Summary：

【課題】接合基材間の効率的な熱伝導および電気伝導が期待できる炭化ケイ素複合体を提供する。 【解決手段】炭化ケイ素複合体は、ケイ素の酸化物層SiO x が表面に形成された炭化ケイ素を備える第一基材と、空気中で酸化物が形成される金属(アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く)、Si、Ge、As、Se、Sb、およびダイヤモンド中のCの一種以上である元素Mの酸化物層MO y を表面に備え、SiO x 側にMO y 側が面するように第一基材と接合している第二基材とを有し、炭化ケイ素の一部以上のCがC-O-M結合することによって、および/または炭化ケイ素の一部以上のSiがSi-O-M結合することによって、第二基材が第一基材に接合している。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

上面の少なくとも一部に炭化ケイ素を備える第一基材と、 アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属元素、Si、Ge、As、Se、Sb、ダイヤモンド中のC、ならびに炭化ケイ素中のCの一種以上である元素Mを下面の少なくとも一部に備える第二基材と、 を有し、 前記第一基材の前記上面の炭化ケイ素の一部以上のCと、前記第二基材の前記下面のMの一部以上が、C-O-M結合することによって、前記第一基材の前記上面と前記第二基材の前記下面が接合している炭化ケイ素複合体。

IPC (1)：

H01L 21/02

FI (1)：

H01L21/02 B