グラフェン積層体とその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021069176
Publication number (International publication number)：2022163995
Application date： Apr. 15, 2021
Publication date： Oct. 27, 2022
Summary：

【課題】制御された電気的特性を有する、グラフェン積層体とその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板102、前記基板上に位置し、前記基板と接する中間層104、および前記中間層上に位置し、前記中間層と接するグラフェン膜106を備え、前記中間層は、ホールキラーとして機能する不純物を含むナノグラフェンを含み、前記グラフェン膜は、単層グラフェンが1層、2層または3層積層した構造を有し、前記中間層の導電性は、前記グラフェン膜の導電性よりも低く、前記中間層の厚さは、0.3nm以上300nm以下であり、前記グラフェン膜の厚さは、0.3nm以上1.0nm以下である、グラフェン積層体とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板、前記基板上に位置し、前記基板と接する中間層、および前記中間層上に位置し、前記中間層と接するグラフェン膜を備え、前記中間層は、ホールキラーとして機能する不純物を含むナノグラフェンを含むグラフェン積層体。

IPC (4)：

C01B 32/186 , H01B 5/14 , H01B 13/00 , B32B 9/00

FI (6)：

C01B32/186 , H01B5/14 A , H01B5/14 Z , H01B13/00 503B , H01B13/00 503Z , B32B9/00 A

F-Term (62)：

4F100AA01B , 4F100AB17 , 4F100AB33 , 4F100AD11 , 4F100AD11B , 4F100AD11C , 4F100AD11D , 4F100AD11E , 4F100AR00B , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA21B , 4F100BA21C , 4F100BA21D , 4F100BA21E , 4F100EJ01 , 4F100EJ01B , 4F100EJ43 , 4F100EJ54B , 4F100JG01B , 4F100JG01C , 4F100JG01D , 4F100JG01E , 4F100JG04A , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4F100YY00D , 4F100YY00E , 4G146AA01 , 4G146AA15 , 4G146AA16 , 4G146AB07 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AD17 , 4G146AD30 , 4G146BA11 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC33B , 4G146BC34B , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146CB16 , 4G146CB29 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB04 , 5G307FC09 , 5G307FC10 , 5G307GA08 , 5G307GB02 , 5G323AA01 , 5G323BA05 , 5G323BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

透明導電性炭素膜の製造方法及び透明導電性炭素膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-041749 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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