透明導電性炭素膜の製造方法及び透明導電性炭素膜

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011041749
Publication number (International publication number)：2012162442
Application date： Feb. 28, 2011
Publication date： Aug. 30, 2012
Summary：

【課題】熱CVDによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。【解決手段】基材温度を500°C以下、圧力を50Pa以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマCVD法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基材温度を500°C以下、圧力を50Pa以下に設定し、かつ含炭素ガス又は含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに、基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマ法により、前記基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させることを特徴とする透明導電性炭素膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 , H01B 13/00 , H01B 5/02 , H01B 5/14

FI (5)：

C01B31/02 101Z , H01B13/00 503B , H01B5/02 A , H01B5/14 A , H01B13/00 501Z

F-Term (31)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146BA12 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC32A , 4G146BC32B , 4G146BC38A , 4G146BC38B , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA43 , 4G146DA45 , 5G307BA01 , 5G307BB02 , 5G307BB03 , 5G307BC10 , 5G307FA02 , 5G307FB04 , 5G323BA05 , 5G323BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-318418 Applicant：三星電子株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-180485 Applicant：国立大学法人東京大学, 中部電力株式会社
マイクロ波プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-005240 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (3)

単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-318418 Applicant：三星電子株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-180485 Applicant：国立大学法人東京大学, 中部電力株式会社
マイクロ波プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-005240 Applicant：キヤノン株式会社

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