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J-GLOBAL ID：202203011731422630

圧電体薄膜、圧電体薄膜の製造装置、圧電体薄膜の製造方法、および、疲労推定システム

Inventor： 桑野 博喜 ,  加藤 忠 ,  レ バン ミン ,  グエン ホアン フン ,  今野 理洋 ,  高山 洋佑
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  仙台スマートマシーンズ株式会社
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020190670
Publication number (International publication number)：2022079842
Application date： Nov. 17, 2020
Publication date： May. 27, 2022
Summary：

【課題】より優れたFoMおよび圧電歪定数を有する圧電体薄膜、その圧電体薄膜を製造することができる圧電体薄膜の製造装置および圧電体薄膜の製造方法、ならびに、その圧電体薄膜を利用可能な疲労推定システムを提供する。 【解決手段】圧電体薄膜は、AlNのAlサイトにMgとHfとを共ドープした(MgHf) x Al 1-x Nの薄膜から成り、xは0.3以上0.49以下であり、性能指数(FoM)が45GPa以上、圧電歪定数(d 33 )が18pm/V以上である。AlNから成るターゲットの表面に、Mgから成る複数の第1の個片と、Hfから成る複数の第2の個片とを、ターゲットの表面積に対して、第1の個片の1個当たりが占める平均表面積が、第2の個片の1個当たりが占める平均表面積の0.9倍以上1.1倍以下になるよう配置し、マグネトロンスパッタ法により、基板上に圧電体薄膜を成長させる。 【選択図】図5

Claim (excerpt)：

AlNのAlサイトにMgとHfとを共ドープした(MgHf) x Al 1-x Nの薄膜から成り、xは0.3以上0.49以下であり、性能指数(FoM)が45GPa以上、圧電歪定数(d 33 )が18pm/V以上であることを特徴とする圧電体薄膜。

IPC (5)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/113

FI (6)：

C23C14/06 L ,  C23C14/06 A ,  C23C14/34 A ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/113

F-Term (4)：

4K029BA58 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  4K029DC39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-056263   Applicant：国立大学法人東北大学
• 窒化アルミニウム膜の成膜方法、弾性波デバイスの製造方法、及び窒化アルミニウム膜の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-188581   Applicant：太陽誘電株式会社
• 圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-118603   Applicant：株式会社村田製作所, 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 検出システム及び検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2017-124406   Applicant：学校法人五島育英会, 首都高速道路株式会社, 首都高技術株式会社, 一般財団法人首都高速道路技術センター

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Combinatorial approach to MgHf co-doped AlN thin films for Vibrational Energy Harvesters
• 第一原理計算による M g X 共添加 AlN (X=V, Nb, の圧電特性 評価