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J-GLOBAL ID：201903010433345221

圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置

Inventor： 桑野 博喜 ,  グエン ホアン フン ,  レ バン ミン ,  大口 裕之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018056263
Publication number (International publication number)：2019169612
Application date： Mar. 23, 2018
Publication date： Oct. 03, 2019
Summary：

【課題】より優れた性能指数(FoM)を有する圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置を提供する。【解決手段】圧電体薄膜は、(MgHf)xAl1-xN薄膜10から成り、xは0.15以上0.5以下である。圧電素子20は、Pt/Ti層12から成る第1の電極と、Pt/Ti層12の表面に設けられた(MgHf)xAl1-xN薄膜10と、その薄膜10のPt/Ti層12とは反対側の面に設けられた、Au/Cr層14から成る第2の電極とを有している。圧電発電装置30は、その圧電素子20の振動により発電可能に構成されている。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

(MgHf)xAl1-xNの薄膜から成り、xは0.15以上0.5以下であることを特徴とする圧電体薄膜。

IPC (5)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/047 ,  H02N 2/18 ,  C23C 14/06

FI (5)：

H01L41/187 ,  H01L41/113 ,  H01L41/047 ,  H02N2/18 ,  C23C14/06 L

F-Term (20)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC15 ,  4K029DC16 ,  4K029DC37 ,  5H681AA06 ,  5H681BB01 ,  5H681BB08 ,  5H681BB14 ,  5H681DD15 ,  5H681DD23 ,  5H681DD45 ,  5H681DD53 ,  5H681DD82 ,  5H681GG01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 圧電薄膜共振子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-141846   Applicant：宇部エレクトロニクス株式会社
• 発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-109370   Applicant：パナソニック株式会社
• 圧電薄膜共振子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-276177   Applicant：太陽誘電株式会社
• 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュプレクサ、及び圧電薄膜共振器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-143660   Applicant：太陽誘電株式会社

Cited by examiner (2)

• 圧電薄膜共振子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-141846   Applicant：宇部エレクトロニクス株式会社
• 発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-109370   Applicant：パナソニック株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• High-Throughput Investigation of a Lead-Free AlN-Based Piezoelectric Material, (Mg,Hf)xAl1-xN

Cited by examiner (1)

• High-Throughput Investigation of a Lead-Free AlN-Based Piezoelectric Material, (Mg,Hf)xAl1-xN