Pat

J-GLOBAL ID：202303008770529367

低欠陥化炭素材料の製造方法

Inventor： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  皆上 昂ノ介 ,  小野 博信
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
Agent (1)： 弁理士法人WisePlus
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019169768
Publication number (International publication number)：2021006497
Patent number：7344508
Application date： Sep. 18, 2019
Publication date： Jan. 21, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含み、該照射工程においてマイクロ波を照射される炭素材料は、還元型酸化黒鉛であることを特徴とする低欠陥化炭素材料の製造方法。

IPC (2)：

C01B 32/21 ( 201 7.01) ,  G01N 21/65 ( 200 6.01)

FI (2)：

C01B 32/21 ,  G01N 21/65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-128506   Applicant：三星コーニング株式会社
• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-023070   Applicant：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• NATURE CHEMISTRY, 2005, Vol.7, p.730-736