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J-GLOBAL ID：202303014053876990

成膜方法、及び、半導体装置の製造方法

Inventor： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広 ,  田原 大祐
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：0000539
Patent number：7295540
Application date： Jan. 09, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ビスマスがドープされており、半導体または導体の特性を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化ガリウムを含む酸化物、または、これらを組み合わせた酸化物により構成された酸化物膜を基体上に形成する成膜方法であって、 前記基体を加熱しながら、前記酸化物膜の構成元素を含む酸化物膜材料とビスマス化合物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、 を有し、 前記ビスマス化合物が、ビスマスエトキシド、酢酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸ビスマス、オクタン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマス、次没食子酸ビスマス、次サリチル酸ビスマス、塩化酸化ビスマス、クエン酸ビスマス、オキシ酢酸ビスマス、オキシ過塩素酸ビスマス、オキシサリチル酸ビスマス、ヨウ化ビスマス、水酸化ビスマス、オキシ炭酸二ビスマス、硫化ビスマス、硫酸ビスマス、及び、炭酸ビスマスからなるグループから選択される物質である、成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01)

FI (3)：

C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/02 Z